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第158章 大为震撼!(第2页/共3页)

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,结果成品率连百分之十都不到,这还怎么做量产?“

    说完,林默语气平静地看着钱学明:

    “钱先生,上面这三个问题,您怎么解决?“

    话音落下,会议室里安静下来。

    钱学明坐在椅子上,有些惊讶的看着林默。

    他原本以为林默就是一个普通机械厂厂长,甚至还有点不屑于和他讨论如此高精尖点的芯片内容。

    但是林默刚刚的一番话,完全打破了他的认知。

    水平完全不逊色于他的同事,甚至是比他还要高上一些。

    他抬起头看向林默,目光里带着一种莫名的疑惑。

    “林厂长……您不是学机械工程的吗?也懂芯片?“

    “懂一点点。“

    林默笑呵呵点的摆了摆手,“平时没事的时候,喜欢看一些技术文献,国内外都看,尤其是半导体方向的东西。“

    钱学明沉默了几秒钟,点了点头像:

    “您刚才说的那三个问题,速度,栓锁效应以及制造工艺,确实都是目前CMOS技术最大的瓶颈。“

    说完,他坐直了身体,语气变得郑重起来:“但我认为,这些问题不是不可逾越的。”

    “速度慢,可以通过缩小特征尺寸来降低延迟,未来到微米级,亚微米级的时候,CMOS的速度瓶颈自然会被突破。”

    “栓锁效应,可以通过优化阱设计和衬底接触来抑制。”

    “至于制造工艺的困难,做芯片从来就没有简单过,NMOS起步的时候良率也低得可怜,不也一样走过来了?“

    钱学明眼神变得火热起来,语气里带着一种近乎宗教般的坚定。

    “我相信,只要持续投入研发,CMOS的这些问题都能被解决。”

    “它的功耗优势是革命性的,是任何其他技术路线都无法比拟的,一旦等到CMOS成熟,整个电子工业都会被改写!“

    听着钱学明的话,林默又开口说了一句:

    “钱先生,据我所知,无锡的742厂最近正在跟小日子的东芝,洽谈引进彩色和黑白电视机的集成电路生产线,好像走的正是双极型技术路线。“

    钱学明知道这件事,他声音低了下来,带着一种明显的困惑:

    “林厂长,这个我知道,跟我说这个的意思,是觉得双极型才是未来?还是说您也认为CMOS不行?“

    “不,你想错了,我的想法跟你一样。“

    林默毫不犹豫的开口说道,语气更为肯定:

    “CMOS才是未来的主流,双极型功耗高,集成度低,天花板太明显了,而CMOS的潜力远没有被挖掘出来。“

    听着自己的路线被赞成,钱学明的眼睛亮了起来。

    “不过您刚才说的那些问题,如果解决不了,CMOS就只能停留在实验室里,永远无法真正走向量产。”

    “是啊。”钱学明叹了口气,无奈的摇摇头。

    “我准备去国外学习一下,听说M国有一些实验室里,已经可以解决一部分问题。”

    林默脸上露出笑容,补充一句:“但是这些问题,在我这里其实是有解的。“

    “什么?”

    “林厂长,您的意思是?”

    钱学明的身体猛地前倾,瞪大眼睛:

    “怎么解?“

    林默伸手拿过桌面上空白的草稿纸,然后从胸前的口袋里抽出一支钢笔,在纸上画了一个简单的剖面示意图。

    几笔勾出了一个CMOS反相器的基本结构。

    P阱,N阱,每一个区域都标注得清清楚楚。

    然后在P阱和N阱的边缘画了几道短横线,标注了衬底接触和重掺杂。

    “栓锁效应。“

    林默的笔尖点着剖面图,语气平静,“本质上是寄生可控硅的触发,要抑制它,核心思路是降低寄生PNP和NPN管的增益。“

    一边说,林默抬起头看了钱学明一眼,见他正目不转睛地盯着图纸,便继续:“具体来说,认为这个问题的解决有两个方向。”

    第一,是在现有的基础上,优化阱和衬底的接触设计。”

    “简单一点来说,就是在P阱和N阱的每一条边界上,都密集地布置衬底接触点,确保任何位置的载流子浓度都低于触发阈值。”

    “第二,使用重掺杂衬底。”

    “衬底掺杂浓度越高,寄生管的基区宽度就越窄,增益就越低,栓锁效应的触发阈值就越高。“

    林默又在纸上又画了几条线:“如果能做到这两个方向,栓锁效应的触发电流阈值至少能提高一个数量级。”

    “从目前的一两毫安,提高到几十毫安甚至上百毫安,对于正常的工作环境来说,这个裕量足够了。“

    钱学明的眼中露出思索的神色。

    “至于速度问题,相对而言更好解决一些。“

    林默没有停仪下,“特征尺寸缩小当