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第158章 大为震撼!(第1页/共3页)

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    听着钱学明丝毫不客气,甚至还有一些瞧不起的话,林默脸上带着笑容,没有一丝一毫生气。

    他就喜欢心里有一股傲气的人。

    有能力,才傲。

    在八十年代的现在,国内做半导体的屈指可数,之前林默都想着在国外挖人了。

    现在来看,应该算是有人了。

    他微微点了点头,慢悠悠的开口。

    “钱先生,我听说您之前在研究所,是因为坚持CMOS的技术路线,跟领导闹了矛盾?这才离职了。“

    钱学明原本靠在椅背上,听到这话像是被触到了某个敏感的神经,马上回着。

    “林厂长消息倒是灵通。“

    钱学明的语气里带着一丝不情愿的承认,但随即又变得更加坚定。

    “不错,我是坚持CMOS路线。”

    “现在所里那些领导,就盯着眼前现在的一点产量和订单,觉得双极型和NMOS技术成熟,良率高,好出货,就想着一直沿着老路走。”

    “他们根本看不到未来,不知道为未来去思考。“

    说到这里,钱学明的语气变得激动起来:

    “双极型电路什么功耗?”

    “一瓦,两瓦,甚至更高,做出来的芯片发热大,集成度低,连个像样的微处理器都做不出来。”

    “NMOS稍微好一点,但也只是过渡方案,根本不是长久之计。”

    “而CMOS呢,静态功耗几乎为零,只有开关的那一瞬间才有电流消耗。”

    “这意味着同样的电池,用CMOS芯片的设备能用十倍以上的时间,意味着可以在一个芯片上集成数万,数十万甚至上百万个晶体管,做出真正复杂的系统!“

    “国外一些顶尖的实验室,早就开始转向CMOS方向了。”

    “小日子的东芝,NEC,M国的英特尔,摩托罗拉,都在投入大量资源研究CMOS工艺。“

    “但是我们国内呢?”

    “还在抱着老旧的双极型技术不放,觉得够用就行,不需要新兴的技术。”

    “等人家把CMOS做成熟了,做出高性能的微处理器,存储器,信号处理器,我们再去追,到时候连车尾灯都看不到了!“

    说完,钱学明深吸一口气,靠在椅背上,目光直视着林默,等待回应。

    林默没有急着开口,目光平静地看着钱学明,微微点点头,

    “钱先生,你刚刚说的这些,我都赞同。“

    林默笑呵呵的开口,并没有马上反驳,他太知道CMOS工艺在后世是有多么普及了。

    “CMOS功耗低,集成度高,静态功耗几乎为零,做出来的芯片确实比双极型和NMOS更适合大规模集成。”

    “理论上,同样的芯片面积,CMOS可以集成比NMOS多将近一倍的晶体管,这些优势,决定了CMOS一定会是未来的主流方向。“

    钱学明的眉毛挑了一下,听着如此专业的分析,他眼神里的防备稍稍松了几分。

    然而,下一秒,林默话锋一转。

    “但是钱先生,作为搞技术的人,不能只看优势,不看问题,CMOS有它的优点,但它的缺点同样致命,您怎么解决那些瓶颈?“

    “多的我就不说了,我就举几个例子。”

    “第一就是速度。“林默一字一句的说道,

    “CMOS的速度远远比不上TTL电路,双极型晶体管的开关速度天生就快,CMOS靠的是电压驱动,充放电过程本身就存在延迟。“

    “一个标准CMOS反相器的延迟时间在几十纳秒级别,而同样工艺的TTL电路可以做到几纳秒甚至更低。”

    “对于需要高速运算的计算机,通讯设备来说,速度慢就是死穴。”

    “这个问题如果不解决,CMOS永远只能用在手表,计算器这些低功耗但低性能的领域。“

    听到这里,钱学明脸色变了变。

    林默说的不错,这确实是目前业内最致命的问题之一。

    接着,林默没有停顿继续开口:“第二就是栓锁效应。“

    “CMOS结构里同时存在NMOS和PMOS两种器件,衬底和阱之间会形成寄生可控硅结构。”

    “一旦触发,会导致芯片功能混乱,无法正常工作,严重的甚至会烧毁芯片。”

    “这种效应在抗辐照环境下尤其明显,如果用CMOS做军用或者航天级芯片,不考虑栓锁效应,那跟自杀没什么区别。“

    “第三,制造工艺。“

    “CMOS需要在同一块衬底上同时制造NMOS和PMOS两种器件,这意味着掩模层数比NMOS多出将近一倍,光刻对准的难度大大增加。”

    “对设备的要求更高,对材料纯度的要求也更高,每一步的良率都会下降,这么一来,整体的良率就更低了。”

    “我听说国内有些研究所尝试过CMOS工艺流片